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  文章标题:主功率电路设计中的问题及改进
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作者:jialincy  发表时间:2010-2-26 18:29:59
    主功率电路设计中的问题及改进
    解恩,侯红胜
    (西北工业大学,陕西西安710072)
    摘要:在某项目无刷直流电动机控制器设计完成之后,实验中频繁出现短路故障,经分析是由于米勒电容充电以及dv/dt导致误导通。为解决此问题,我们采用门极负压关断,但常用负压充电泵元件数目较多。因此设计了一种简化负压栅极驱动电路,电路简单,工作可靠。
    关键词:栅极驱动;米勒电容;负压泵
    0引  言
    对于控制器中功率电路,若使其工作可靠,关键问题在于功率驱动设计以及功率和驱动部分PcB布线。合理的布线可以减少功率及驱动部分的分布参数(分布电感和分布电容)对于电路安全工作的危害。但这只是一个优化,并不能完全消除分布电感,比如说功率器件内部就有分布电感和分布电容,这还不包括布线带来的分布参数。本文主要针对MOsFET漏一源极电压迅速增加时,由于米勒电容的存在,dv/dt半带来的导致功率器件误导通问题。针对此问题,解决方法是以负压驱动关断功率管。即使米勒电容传递电荷到功率器件的门极,使得门极电压升高,只要不升高至正值,功率管就不会误导通。目前对于负压驱动设计的电路比较成熟,但电路设计比较复杂,分立元件较多(每一路15个左右)。本文中设计出一种新型负压关断驱动电路,每一路元件只有6个。
    1功率及驱动电路设计
    控制器基本指标:三相输入电压115 V、400 Hz;输出功率2 kw。
一相桥臂功率及驱动电路设计如图1所示,主功率三相全桥结构。
    将三相115 V(Ac)整流后,直流负载电压在270 V左右。对于控制器基本输出功率指标,可以算出额定电流为2 O00/270=7.4 A。功率器件选用了 MOsFET功率管IRFP460,该器件耐压V=500V,持续工作电流,ID=13 A(100℃)。从参数上应能满足工作要求。功率驱动Ic选用上管自举的IR2110,V=500V,I=2 A。为防止负过冲可能引起输出锁定导致直通故障,在V间加TVs(P6KEl8A),同时由于IR2110没有输入互锁,因而在输入端增加与门防止输入信号同时为高而导致直通。电机为单向旋转,我们为减小开关损耗将斩波方式选为下斩上不斩,这也能有效防止泵升。
从选型到设计都应满足指标要求,并有一定余量,并且还有相应防护措施。但是在空载实验时,进展都非常不顺利,短路故障每次都发生,故障离上电间隔并不确定,有时一上电就烧,有时还能能运行几分钟.
2故障原因分析
由于是空载工作,工作电流不到1 A,在对原理图、PcB布线及损坏部分测试后,我们得出如下判断:1)功率器件损坏是由于桥臂直通导致;2)输入端有互锁,故障与IH2110以前电路无关;3)空载工作电流小,没有由于di/dt带来的负过冲及功率器件过压击穿问题。纵上分析,我们将问题共同指向dv/dt。
接下来,我们用了一个120Dc(2 A限流)的电源测试。由于功率桥臂上管自举驱动,无法使用示波器同时测试上、下管的栅极驱动信号(示波器两路输入共地),于是我们同时测试了下管栅极和上管输入(s1)对地的波形,如图2所示。
图中l曲线为上管输入s1,2曲线为下管栅极信号,图中可清晰看出当上管导通时,下管由于dv/dt增加,使得栅极电压上升。
这是由于米勒电容的存在,MOsFET在一定的dv/dt之上,可能导致误导通。这个结果在许多资料中都有叙述,这里简单说明。
如图3所示,当功率桥臂中上管(或下管)开通时,使得下管(或上管)uGS迅速增加,由于栅-漏极间电容cCD(米勒电容)的存在,向栅极传递电荷,栅源极电压uGS增加,从而导致误导通,桥臂短路。这是功率桥电路(特别是中高压)烧毁主要模式之一。uGS增加的程度由三个参数决定:一是栅一漏极间电容和栅源极间电容的比值cGD/cGS;二是uDS的dv/dt上升率;三是与栅极驱动连接的阻抗。
从图3中可看出,当UDS迅速增加时,由于米勒电容的存在,电荷经米勒电容向栅源电容cGS充电,cGD/cGS比值越小,UGS增加越明显,米勒电容寄生于功率元件内部,无法减小,我们是否可以通过增加cGS来降低UGS的增加呢?答案是这样并不可取,因为cGS的增加,带来功率管开关速度的下

 

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