TB6560AHQ使用说明

特性
●双全桥MOSFET驱动，低导通电阻Ron＝0.6Ω（上桥+下桥）
●耐压40VDC，电流3.5A（峰值）
●多种细分可选（1/1、1/2、1/8、1/16）
●衰减方式分段可调

封装图

实物图

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